新記憶體600度高溫照運作

傳統的矽基半導體，當加熱到攝氏150度便開始無法控制電流，將清除記憶體的資料。美國密歇根大學開發一種新型記憶體，設有兩層結構（半導體氧化鉭及金屬鉭），再移動帶負電的氧原子來記憶，標榜能夠在超過攝氏600度高溫下運作，數據可以保存24小時以上，預料適用於核融合反應堆、噴射引擎、地熱井及悶熱的行星使用； ...

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