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理大研發電腦記憶體新材料

StartupBeat 創科鬥室

2023年1月19日

任何物質的原子厚度單層結構堆疊起來,均有可能產生於單層結構時不存在的新特性。香港理工大學應用物理學系主任兼納米材料講座教授劉樹平(左圖右)領導的團隊,發現由二硫化鉬(MoS2)和二硫化鎢(WS2)合組的雙層堆疊,具有壓電性兼展現出鐵電效應。這些新型納米級鐵電體(小圖)低成本、低耗能,具備大規模複製潛力,可用於生產電腦記憶體;有關研究刊登於國際學術期刊《科學》(Science)。(理大提供圖片)

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